מספר מוצר של יצרן:
BSB017N03LX3 G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSB017N03LX3 G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
מלאי:
12799180
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSB017N03LX3 G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Ta), 147A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
102 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7800 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MG-WDSON-2, CanPAK M™
חבילה / מארז
3-WDSON
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSB017N03LX3 GDKR-DG
BSB017N03LX3GTR
BSB017N03LX3GXT
BSB017N03LX3 GCT
BSB017N03LX3 GTR-DG
BSB017N03LX3 GDKR
BSB017N03LX3GCT
BSB017N03LX3 GCT-DG
BSB017N03LX3GDKR
BSB017N03LX3G
BSB017N03LX3 G-DG
SP000604468
BSB017N03LX3GXUMA1
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSB013NE2LXIXUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
BSB013NE2LXIXUMA1-DG
מחיר ליחידה
1.85
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
BSL305SPEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
BSC050N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
